HAMAMATSU   濱松   S12858- 422    硅光電二極管陣列

適用于 X 射線非破壞性檢測的背照式光電二極管陣列（像元間距：1.17 mm）

S12858-422 是一款背照式 16 像元光電二極管陣列，專為無損 X 射線檢查而設計。它是我們前代產品（S11212 系列：1.575 mm 間距）的改版。間距已更改為 1.17 mm。背照式光電二極管陣列也易于處理，并且易于連接到閃爍體，而不必擔心導線損壞，因為背面沒有焊線和受光面。

適用于紫外到近紅外波段的 16 像元硅光電二極管陣列

S4111-16Q 是安裝在陶瓷 DIP（雙列直插式封裝）中的硅光電二極管線性陣列。這種光電二極管陣列主要用于分光光度測定等微弱測光，涵蓋從紫外光到近紅外光的寬光譜范圍。由于所有像元都可以采用電荷存儲讀數的反向偏壓，因此 S4111-16Q 能夠以高靈敏度檢測弱光。像元之間的串擾*小化，以保持信號純度。可以作為受光窗連接特殊濾波器（定制產品）。

特點
-大受光面
-低串擾
-更強的近紅外靈敏度
-低暗電流

詳細參數

像元尺寸（每個像元）	0.9 × 1.45 mm
像元數	16
封裝	陶瓷
封裝類別	18 針 DIP
閃爍體類型	無
制冷	非冷卻型
反向電壓（*大值）	15 V
靈敏度波長范圍	190 至 1100 nm
*大靈敏度波長（典型值）	960 nm
感光靈敏度（典型值）	0.58 A/W
暗電流（*大值）	5 pA
上升時間（典型值）	0.5 μs
結電容（典型值）	200 pF
測量條件	典型值 Ta = 25°C，除非另有說明 每個像元，感光靈敏度：λ = 960 nm，暗電流：VR=10 mV，上升時間：VR = 0 V，結電容：VR = 0 V

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